The Korea Economic Daily 에 따르면, 삼성전자는 올해 말 첫 번째 High NA(Numerical Aperture) EUV 스캐너인 Twinscan EXE:5200B를 도입할 예정이며, 두 번째 장비는 2026년 상반기에 추가로 도입할 계획이라고 합니다.
현재 삼성전자는 화성 캠퍼스에서 연구용 High NA EUV 장비를 운용 중이지만, 이번 장비들은 양산용으로 도입되는 첫 시스템이 될 것이라고 보도는 전했습니다.
보도에 따르면, TSMC는 현재 R&D용 High NA EUV 시스템을 테스트 중이지만, 상업 규모의 제조에 아직 투입하지는 않았다고 합니다. 또한, SK하이닉스 는 9월에 양산용 High NA EUV 장비를 반입했다고 이 보도는 출처를 인용해 전했습니다.
보도에 따르면, 삼성은 High NA를 2nm 이하 파운드리 생산과 수직 채널 트랜지스터(VCT) DRAM 생산에도 활용할 예정이며, 이 고성능·저전력 메모리는 2027년경 양산에 들어갈 것으로 알려졌습니다.
삼성전자는 이 두 대의 장비에 1조1천억 원(약 7억7천3백만 달러) 을 투자하고 있습니다. 보도에 따르면, High NA EUV 시스템은 기존 EUV 장비보다 약 1.7배 더 미세한 회로 패턴을 형성할 수 있으며, 이는 렌즈가 빛을 얼마나 효율적으로 모으는지를 나타내는 지표인 개구수(NA) 가 기존 0.33에서 0.55로 향상된 덕분입니다.
TSMC 및 인텔의 High NA EUV 도입 계획
The JoongAng의 보도에 따르면, TSMC는 현재의 EUV 장비를 2나노 공정까지 활용하고, 1.4나노 공정부터 High NA EUV 시스템을 도입할 계획이라고 합니다.
한편, 인텔은 네덜란드 반도체 장비업체 ASML의 High NA EUV 장비 주문량을 1대에서 2대로 확대하고 있다고 Wccftech가 전했습니다. 또한, 인텔은 ASML의 첨단 리소그래피 장비 투자에 “올인”하고 있다고 이 매체는 덧붙였습니다.
BITS & CHIP에 따르면, 인텔의 14A 공정의 리스크 생산(risk production) 은 2027년에 시작되고, 대량 생산(high-volume manufacturing) 은 2028년에 이뤄질 예정이라고 합니다.
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