[기타] [단독] 삼성 차세대 1c D램 수율 개선...전영현 '설계변경 초강수' 빛났다

[시무라오바상]

■이달 설계변경 1호 웨이퍼 나와
작년 5월 취임후 원점 재검토 지시
성능 실험서 50~70% 수율 확보
HBM용은 제조에 시간 걸릴 듯
하반기 P4 투자 늘려 양산 준비
10나노 7세대 시험라인 설치도

29일 업계에 따르면 이달 삼성전자(005930)는 10㎚(나노미터·10억분의 1m)급 6세대 D램 웨이퍼 성능 실험에서 의미 있는 수율을 달성했다. 차가운 환경인 콜드 테스트 수율은 50%, 뜨거운 조건의 핫 테스트 수율은 60~70%다. 웨이퍼 한장으로 1000개 이상의 D램을 만드는데 이 가운데 절반 이상의 D램 칩이 기준을 통과했다는 얘기다. 업계에서는 통상 수율 40% 안팎을 양산에 돌입할 수 있는 기준으로 보는데 이를 한참 웃돈 셈이다. 지난해 같은 제품의 수율이 채 30%에도 못 미쳤던 점을 고려하면 상당한 진전을 이뤘다.

비결은 설계에 있다. 기존 모델보다 칩 크기를 키우고 예비 소자 수를 늘린 덕에 안정성이 높아진 것으로 분석된다. 다만 설계 변경이 그렇게 간단한 일은 아니다. 스스로 잘못을 인정하는 꼴인 데다 그새 경쟁사들과 기술 격차가 벌어질 수 있고 상당한 자금을 쏟아부어야 한다. 애초 삼성전자는 지난해 말 10나노급 6세대 D램 양산을 계획했지만 설계 변경 시 스케줄이 1년 이상 늦춰질 수 있는 만큼 상당한 모험이었다.

삼성전자는 연내 양산을 목표로 6세대 D램 후속 테스트를 진행할 계획이다. 업계 관계자는 “당장 판매를 해도 될 만큼 안정적인 성능을 갖췄는지 확인하려면 더 까다로운 테스트를 거쳐야 한다”고 전했다.

출처 : https://n.news.naver.com/article/011/0004491401

[루리웹-4958535088]

돈붓고 인선최적화의 결과가 나오는건가 ㅋㅋㅋ

[시무라오바상]

그동안 위에서 어떻게든 원가줄이라고 넷다이 빡빡하게 하고, 쌩차력쇼 하던거 부문장 바뀌고나서 칩 사이즈 키우는쪽으로 재설계 했으니 뭐 그럴만도...

[루리웹-4958535088]

HBM4부터는 다이사이즈가 커지니까 그에 맞게 재설계 한거 같습니다. HBM에 안맞는 1a가져다가 뻘짓한거 생각하면 참;;

[버틸수가 없다]

이제라도 정신차려라 삼성아 1년 아깝다고 후려치다가 평생 잃는다..아무리 중국애들이 위협적이라도 원가후려치기만한 결과가 얼마나 뼈아프냐 ㅉㅉ 지금이라도 초심으로 돌아가길

[보급형 핫산]

일은 전문가들이 다 한다 해도 결국 대가리가 중요한 이유.

[익명.]

노태문도 바꾸자