[잡담] '삼성 HBM' 택한 AMD, 차세대 AI칩으로 SK 품은 엔비디아와 '정면승부'

[새대가르]

리사 수 AMD 최고경영책임자(CEO)./사진 제공 =리사 수 SNS 캡처


미국 반도체 업체 AMD가 최신 인공지능(AI) 가속기에 삼성전자의 5세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM3E를 공식 채택하고 이 시장 강자인 엔비디아와 한판 승부를 예고했다.


그동안 업계에서는 삼성전자의 HBM3E가 엔비디아의 품질검사(퀄 테스트)를 통과하지 못하면서 기술 결함 논란에 휩싸여왔지만 이번 공급으로 우려를 불식시켰다는 평가가 나온다. 특히 이번 협력을 바탕으로 AMD가 내년 출시할 차세대 MI400 시리즈에 대한 HBM4(6세대) 납품 기대감 역시 커지고 있다.

13일 업계에 따르면 AMD는 이날 미국 캘리포니아주 새너제이에서 'AI 어드밴싱 2025'를 열고 신형 AI 가속기 MI350 시리즈(MI350X·MI355X)를 공개했다.

신제품은 전작에서는 지원되지 않던 FP4 데이터 형식을 지원해 전 세대 대비 AI 연산 성능은 4배, 추론 성능은 35배 이상 향상됐다. 특히 현재 클라우드 업체에 공급 중인 MI355X는 경쟁 제품 대비 최대 40% 높은 비용 효율성을 달성했다고 주장했다.

앤드류 디크만 AMD 데이터센터 그래픽카드(GP)U 총괄은 "운영 비용과 도입 비용 모두에서 (경쟁사 대비)두 자릿수 비율의 절감이 가능하다"며 "가격 대비 성능 면에서 큰 차이를 보일 것"이라고 설명했다.

이날 행사에 깜짝 방문한 오픈AI의 알트먼 최고경영책임자(CEO) 역시 "사양을 처음 들었을 땐 믿기 어려울 정도였다"며 "굉장한 기술이 될 것"이라고 말했다. 오픈AI는 그간 AMD 칩에 대한 피드백을 제공해왔으며, 실제로 AMD는 신제품 개발 과정에 오픈AI의 의견이 다수 반영됐다고 밝혔다.




삼성전자의 5세대 고대역폭메모리(HBM) 'HBM3E' 12단 제품. (사진=삼성전자)


이번 행사에서 AMD는 신제품에 삼성전자와 마이크론의 HBM3E 12단 제품이 탑재됐다고 소개했다. 그간 AMD가 삼성전자의 HBM 제품을 사용한다는 것은 이야기가 있었지만 이를 공식 확인한 것은 이번이 처음이다.

공급된 HBM3E는 삼성전자가 지난해 개발 완료한 36GB 용량의 12단 제품으로 24Gb D램 칩을 TSV 기술로 적층해 구성됐다. 전작인 8단 제품 대비 성능과 용량이 50% 이상 향상됐으며 초당 최대 1280GB의 대역폭과 1024개의 입출력 통로를 통해 초당 최대 10Gb 속도를 구현한다. 이는 1초에 UHD 영화 약 40편 분량의 데이터를 전송할 수 있는 수준이다.

조상연 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 부사장은 "당사 HBM3E는 최첨단 GPU가 요구하는 용량과 대역폭을 충족해 데이터 집약적인 AI 및 HPC 워크로드를 지원한다"며 "AMD 인스팅트 MI350X 및 MI355X GPU와 오랜 파트너십을 통해 혁신을 지원하게 됐다"고 설명했다.

이번 공급으로 삼성전자의 전체 HBM3E 출하량 중 12단 제품이 차지하는 비중은 확대될 것으로 보인다. 또 해당 제품이 엔비디아의 퀄 테스트를 받고 있는 만큼 빠른 시일 내 통과 가능성도 높아졌다는 평가가 나온다.

이번 행사에서 AMD는 MI400 시리즈 기반 차세대 AI 랙 시스템 헬리오스도 공개했다. 이 시스템은 최신 프로세서와 GPU, DPU, ROCm 소프트웨어 스택이 모두 결합돼 하나의 거대한 컴퓨터처럼 묶어 사용된다.

리사 수 AMD CEO는 "이제는 단순히 고성능 컴퓨팅 자원이 중요한 시대가 아니다"라며 "헬리오스는 AI 인프라 전체를 하나의 유기적 시스템으로 설계한, 새로운 기준"이라고 설명했다. 이어 "하나의 거대한 컴퓨팅 엔진처럼 작동하는 랙"이라고 강조했다.

특히 내년에 출시될 경쟁사 엔비디아의 베라 루빈 랙과 비교했다. 수 CEO는 "연산 능력은 동등하나, HBM 용량과 대역폭은 1.5배"라고 강조했다. 루빈은 엔비디아가 내년 하반기 출시를 예고한 새로운 아키텍처의 GPU이고, 베라는 기존 그레이스 대신 출시될 CPU다.




젠슨 황 엔비디아 최고경영책임자(CEO)가 지난 5월 대만 타이베이 난강 전시홀에서 열린 '컴퓨텍스 2025'에 마련된 SK하이닉스 부스를 찾아 6세대 고대역폭메모리 HBM4 샘풀에 친필 싸인을 남겼다./사진=권용삼 기자


헬리오스 기반이 되는 MI400 시리즈에는 432GB의 HBM4가 탑재될 예정이다. 업계에서는 HBM4가 향후 시장 점유율 판도를 좌우할 중요한 분기점으로 보고 있다. AMD와 파느너십을 강화한 삼성전자가 엔비디아와 밀월 관계를 구축한 SK하이닉스와의 경쟁에서 시장 변화를 이끌지 주목된다.

HBM4는 최근 JEDEC의 표준화가 완료되며 각 메모리 업체들은 양산 준비에 돌입했다. 삼성전자는 역시 올해 하반기 HBM4 양산을 계획 중이다. 특히 HBM 시장에서 경쟁사에 밀려 올해 1분기 글로벌 D램 시장 1위 자리를 내준 만큼 HBM4를 반전의 기회로 삼겠다는 각오다.

삼성전자는 HBM4에 차세대 기술을 선제적으로 적용해 경쟁사와 차별화하겠다는 전략을 세웠다. 10나노급 D램 공정 기술은 '1x(1세대)→1y(2세대)→1z(3세대)→1a(4세대)→1b(5세대)→1c(6세대)' 순으로 개발되는데 삼성전자는 6세대 기술을 우선 적용했다. 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론은 5세대 기술을 적용 중이다.

또 차세대 패키징 기술인 하이브리드 본딩(HCB) 역시 선제적으로 도입을 추진 중이다. 경쟁사 SK하이닉스는 16단 제품까지 어드밴스드 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF) 공정을 사용할 예정이다.

김재준 삼성전자 DS부문 메모리사업부 부사장은 지난 1분기 실적발표 후 진행된 컨퍼런스콜에서 "HBM4 일부 과제는 일반(스탠다드) HBM4 더불어 2026년부터 매출에 기여할 것"이라며 "커스텀 HBM 또한 복수의 고객들과 협의가 진행되고 있다"고 밝혔다.

출처 : 블로터(https://www.bloter.net)

출처 : https://news.naver.com/section/100

[철봉이풍부한조개젖국]

베가 페밀리의 부활이네