소식통에 따르면 삼성의 HBM 칩은 열 및 전력 소비 문제로 인해 Nvidia 테스트에 실패했습니다.
삼성전자(KS:005930)의 최신 고대역폭 메모리(HBM) 칩이 열과 전력 소모 문제로 엔비디아(NASDAQ:NVDA)의 미국 AI 프로세서 사용 테스트를 아직 통과하지 못했다고 3명이 이 문제를 브리핑했다.
문제는 현재 인공지능용 그래픽처리장치(GPU)에 가장 많이 사용되는 4세대 HBM 표준인 삼성의 HBM3 칩과 올해 출시되는 5세대 HBM3E 칩에 영향을 미친다고 이들은 밝혔다.
삼성이 엔비디아의 테스트에 불합격한 이유가 처음으로 보도되고 있다.
삼성전자는 이날 로이터통신에 보낸 성명에서 "HBM은 고객의 요구에 맞춰 최적화 과정을 거쳐야 하는 맞춤형 메모리 제품"이라며 "고객과의 긴밀한 협업을 통해 제품을 최적화하는 과정에 있다"고 밝혔다. 구체적인 고객에 대한 언급은 피했다.
엔비디아는 논평을 거부했다.
HBM은 2013년에 처음 생산된 동적 랜덤 액세스 메모리 또는 DRAM 표준의 일종으로, 공간을 절약하고 전력 소비를 줄이기 위해 칩을 수직으로 쌓는 방식으로 복잡한 AI 애플리케이션이 생산하는 방대한 양의 데이터를 처리할 수 있도록 도와준다. 생성형 AI 붐 속에서 정교한 GPU에 대한 수요가 급증하면서 HBM에 대한 수요도 급증하고 있다.
AI 애플리케이션을 위한 전 세계 GPU 시장의 약 80%를 장악하고 있는 엔비디아를 만족시키는 것은 평판과 이익 모멘텀 측면에서 HBM 제조업체들에게 미래 성장의 핵심으로 여겨진다.
삼성전자는 지난해부터 엔비디아의 HBM3와 HBM3E 테스트를 통과하기 위해 노력해왔다고 이들 3명은 전했다. 이들 중 2명에 따르면 삼성전자의 8단, 12단 HBM3E 칩에 대한 최근 테스트에서 떨어진 결과는 지난 4월 나온 것으로 알려졌다.
문제가 쉽게 해결될 수 있을지는 당장 명확하지 않았지만 세 소식통은 엔비디아의 요구사항을 충족하지 못해 업계와 투자자들 사이에서 삼성이 HBM에서 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론테크놀로지(NASDAQ:MU)에 더 밀릴 수 있다는 우려가 커졌다고 전했다.
삼성 관계자로부터 이 문제에 대해 보고를 받은 두 명의 소식통은 기밀 사항인 만큼 익명을 조건으로 말했다.
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