DRAM을 발명한 전기 및 컴퓨터 공학의 선구자 로버트 히스 데나드가 2024년 4월 23일 세상을 떠났습니다. 이 발명은 수십억 대의 스마트폰, 컴퓨터 및 기타 가전제품을 가능하게 했습니다. 그는 무어의 법칙을 기반으로 한 데나드 스케일링 이론으로도 기억될 것입니다.
데너드는 1932년 9월 5일 텍사스주 테렐에서 태어났습니다. 그는 전기가 들어오지 않는 농장에서 자랐고 단칸방 교실에서 학교를 다녔습니다. 프렌치 호른 연주자로서의 재능을 인정받아 남감리교 대학교에서 장학금을 받고 전기공학의 초기 분야를 공부했습니다.
SMU를 졸업한 후 데나드는 현재 카네기 멜론으로 알려진 카네기 공과대학에서 전기공학 박사 학위를 취득하기 위해 학업을 계속했습니다. 1958년 박사 학위를 마치고 IBM 연구원으로 일하기 시작했습니다. 그는 남은 긴 직업 경력 기간 동안 그곳에서 근무하게 됩니다.
당시 집적 회로는 텍사스 인스트루먼트 엔지니어에 의해 막 시연된 새롭고 흥미로운 분야였습니다. 연구 분야와 업계의 주요 관심사는 컴퓨터 메모리와 로직의 발전이었으며, 데나드는 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 설계와 응용 분야를 탐구하게 되었습니다.
기존 자기 코어 RAM의 크기와 전력 요구 사항에 좌절감을 느낀 데나드와 마이크로전자공학 전문가 팀은 1964년 1비트 정보를 저장하는 데 6개의 MOS 트랜지스터만 필요한 대체 시스템을 개발했습니다. 하지만 이 설계조차도 너무 복잡하고 느리다고 생각했습니다.
그러던 중 데나드는 컴퓨팅에 혁명을 일으킬 전구가 머릿속에서 번쩍 떠올랐습니다. 그는 트랜지스터 6개가 아닌 하나의 트랜지스터에 정보를 저장할 수 있는 방법을 연구하기 시작했습니다. 이러한 통찰력, 조사, 실험은 결국 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM)의 발명으로 이어졌습니다.
발명가는 DRAM에서 멈추지 않았습니다. 1972년, 데너드는 컴퓨터와 기타 전자 기기가 매년 더 작고, 더 빠르고, 더 효율적으로 발전하는 데 도움이 되는 이론을 제시했습니다. 이 이론은 데나드 스케일링 또는 데나드의 법칙으로 알려졌으며 무어의 법칙에서 유래했습니다.
무어의 법칙에 따르면 주어진 공간에 들어갈 수 있는 트랜지스터의 수는 약 2년마다 두 배로 증가합니다. 데나드 스케일링에 따르면, 각 와트의 성능은 거의 같은 속도로 증가합니다. 따라서 트랜지스터의 크기가 작아질수록 전력 소모량도 줄어듭니다.
반세기에 걸친 경력 동안 데나드는 많은 상과 인정을 받았습니다. 1979년에는 IBM 펠로우로 선정되었고 1988년에는 로널드 레이건 대통령으로부터 미국 국가 기술 훈장을 받았습니다. 1997년에는 미국 국립 발명가 명예의 전당에 헌액되었으며 2009년에는 IEEE 명예 훈장을 수상했습니다.
가장 최근에는 반도체 업계 최고의 영예를 안은 발명가이기도 합니다. 2019년 반도체 산업협회는 데나드에게 로버트 N. 노이스 상을 수여했습니다.
데너드는 아내 제인 브리지스와 딸 에이미와 홀리 데너드가 유족으로 남아있습니다. 또한 네 명의 손자를 남겼습니다. 그의 아들 로버트 H. 데나드 주니어가 먼저 세상을 떠났습니다. 데너드의 삶과 유산을 기리는 추모식이 6월 7일 오후 1시(동부시간 기준) 뉴욕 요크타운 하이츠에서 열릴 예정입니다.
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세상을 바꾼 분 중 한분이셨군요. 고인의 명복을 빕니다. 테크 천국에서 평안하시길.
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컴퓨터 공학에 엄청난 족적을 남기신 분이네요 고인의 명복을 빕니다
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고인의 명복을 빕니다. 진짜 대단하신 분이셨네요
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