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[기타] 네이처에 실린 삼성전자 '강유전체' 논문 언박싱 (2) [9]
추천 11 조회 4995 댓글수 9
ID | 구분 | 제목 | 글쓴이 | 추천 | 조회 | 날짜 |
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(IP보기클릭)211.36.***.***
Vth 0.1 줄인 건 상당하네요.
(IP보기클릭)218.156.***.***
증착 공정 기술만 받쳐준다면 전력 면에서 많은 진전이 있을 것 같습니다.
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증착 공정 기술만 받쳐준다면 전력 면에서 많은 진전이 있을 것 같습니다.
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Vth 0.1 줄인 건 상당하네요.
(IP보기클릭)119.197.***.***
(IP보기클릭)211.234.***.***
ㄴㄴ gaa는 채널 구조 말하는거고 저 강유전체 써서 하는거는 구조 상관없이 소재를 활용해서 문턱 전압을 낮추는거임 | 23.06.10 23:27 | | |
(IP보기클릭)119.197.***.***
그럼 이건 강유전체를 써서 누설 전류를 막아서 저전압 핀펫구조를 더욱 효율성있게 만든거라고 보면됨? | 23.06.10 23:32 | | |
(IP보기클릭)211.234.***.***
누설 전류를 줄이는게 아니고 본문 기사에도 나와있는 거처럼 강유전체 소자를 저런 식으로 게이트에 결합하는 방식을 통해서 subthreshold swing 값을 낮춰서 문턱 전압을 낮추게 되고, 전압을 낮추게 되면서 각 소자별로 요구되는 소비 전력을 감소시킬 수 있어서 에너지 효율 면에서 이득이 될 수 있는거에요 | 23.06.10 23:39 | | |
(IP보기클릭)119.197.***.***
ㅇㅇ 뭔 설명인지 알았다 게이트 on off시의 필요전압이 기존보다 저전압으로 할 수 있게 되서 전체적인 전력소모를 줄일수 있다는 거자나? | 23.06.10 23:42 | | |
(IP보기클릭)211.234.***.***
ㅇㅇ 정확함 그래서 기사에서도 저 그래프를 가져다 쓴 거일거임 | 23.06.10 23:45 | | |
(IP보기클릭)39.117.***.***