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일반적인 DDR, LPDDR, GDDR의 경우 채널당 칩 하나가 할당되고 여기에 데이터핀 개수가 16개~32개 수준에 다른 핀 다 합쳐도 40여개 수준인데 HBM은 HBM3 기준 채널당 64개 +@에 칩 하나에 16개 채널이 묶여있음. 그래서 데이터핀만 1024개, 커맨드 어드레스 핀까지 더하면 거기서 +@ (기억 상 채널당 리페어용이나 다른 목적을 위한 핀까지 다 합치면 아마 100개 쯤 될거) 근데 이렇게 많은 신호를 기존 패키지/PCB에서 신호 선로를 연결하는 건 불가능에 가까움. 그래서 여기서 같이 나온 기술이 실리콘 인터포저, 2.5D 인터포저로 반도체칩 생산 공정의 BEOL(금속 배선) 공정을 갖다가 씀. 일반적인 메모리 - soc간 연결이 (soc 다이) - (soc 패키지) - (pcb) - (디램 패키지) - (디램 다이) 이 순이었다면, HBM의 경우 (soc 다이) - (인터포저) - (디램 다이) 이렇게 감. 이게 하나의 패키지가 되어있고 | 24.05.24 23:10 | | |
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높이도 제덱 스펙으로 정해져있음 그리 높지 않음 | 24.05.24 23:10 | | |