연말 HBM4 출하…적용 목표
최대 월 20만장 생산능력 전망
후방산업계 장비 발주에 훈풍
6일 업계에 따르면 삼성전자는 D1c 생산 라인 조성을 위한 반도체 장비 구매발주(PO)를 시작했다. 반도체 웨이퍼 열처리를 담당하는 어닐링 등 일부 장비는 이미 주문을 했으며, 웨이퍼 박막을 형성하는 증착 장비는 협력사와 도입 규모를 논의하고 있다. D1c 기반 반도체 칩 패키징 장비도 공급사를 선정 중인 것으로 파악됐다. 사안에 정통한 업계 관계자는 “삼성전자가 D1c 양산을 위해 동시 다발적인 발주를 추진하고 있다”며 “다수 팹(공장)에서 라인이 조성될 예정”이라고 말했다.
D1c는 회로 선폭이 11~12㎚ 수준인 D램이다. 삼성전자는 최근 D1c 개발을 완료하고 양산 이관을 위한 승인 작업(PRA)을 끝마쳤다. 연말 생산을 목표로 하는 HBM4에도 D1c가 적용된다. HBM4 생산 전 D1c 제조 라인을 구축하려는 행보로 풀이된다.
투자는 '테크 마이그레이션'이라 불리는 기존 라인 전환과 신규 라인 조성이 동시에 이뤄진다. 평택 2·3공장(P2·P3)에 위치한 기존 D1x·D1y·D1z를 D1c 생산라인으로 전환할 것으로 알려졌다. 또 평택 4(P4) 공장에 신규 투자가 이뤄진다. 이곳은 새로운 라인이 구축되는 만큼 기존 장비의 이동 배치와 새로 구매한 장비 반입이 이뤄질 전망이다.
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