인하대 고분자공학과 이진균 교수 연구팀이 삼성전자 반도체(DS) 부문과의 공동 연구로 하이(High)-NA 극자외선(EUV)용 포토레지스트를 개발했다고 18일 밝혔다.
이 교수 연구팀은 삼성전자 반도체연구소의 최진 마스터 연구팀, 서울시립대학교 신소재공학과 연구팀과 함께 High-NA EUV 노광 공정에서 활용할 수 있는 신개념 포토레지스트(PR)를 개발했다고 밝혔다. 이번 연구는 삼성전자 반도체연구소와 삼성전자 미래기술육성센터의 연구비 지원으로 이뤄졌다.
반도체 제작 과정에는 빛을 활용해 웨이퍼 위에 회로 모양을 반복적으로 찍어내는 노광 공정 있다.
이 과정에서 핵심 역할을 담당하는 화학 소재가 PR이다. 웨이퍼에 PR이 도포돼 있어야 빛이 회로 모양을 찍어낼 수 있기 때문이다.
인하대·삼성전자·서울시립대가 개발한 하이-NA EUV 포토레지스트 콘셉트. 사진제공=인하대
특히 최근 노광 공정이 13.5㎚ 파장의 EUV를 활용하면서 정밀도가 높은 고해상도 포토레지스트를 확보해야 하는 과제가 생겼다.
이번에 인하대·삼성전자·서울시립대 공동연구팀은 '포지티브형(양각)' 회로 패턴을 제조할 수 있는 EUV 무기포토레지스트(MOR)를 개발했다. 주석 산화물의 화학적 특성을 바탕으로 폴리페놀 첨가제를 적용한 것이 특징이다.
이 소재는 기존 EUV 노광에서 한층 고도화되는 High-NA EUV 조건에서 10㎚ 수준의 미세한 양각 회로 형성이 가능하다는 것을 보여줬다.
이번 연구성과는 최근 출간된 국제 학술지인 어드밴스드 펑셔널 머티리얼즈(Advanced Functional Materials)에 “주석산화물 기반 극자외선 리소그래피용 포지티브형 포토레지스트 소재 개발”이라는 제목으로 발표됐다.
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중국 간첩한테 기술 안털리게 잘해
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