http://www.coolenjoy.net/bbs/38/2077456
<요약 및 정리>
1. 삼성 파운드리 포럼에서 3nmGAAE 공정 개발 디자인을 위한 PDK v0.1을 발표
2. FinFET은 14nm 이상에서 기술의 성공적인 확장을 가능하게 했으나 스케일 축소와 작동전압의 추가 확장은 매우 어려웠음
3. 이러한 한계를 극복을 위해 채널 4면 모두에 게이트 전극을 특징으로 하는 GAA(Gate-All-Around) 트랜지스터 도입
4. 종래의 GAA는 채널의 작은 나노 와이어 포맷으로 인해 더 많은 스택을 요구하며 이는 프로세스의 복작성을 증가시킴
5. 그러나 삼성의 GAA 채널은 나노 시트 형태로 형성되어 더 큰 전류 스택을 구현할 수있어보다 간편한 장치 통합이 가능
6. GAA는 FinFET과 비교하여 나노 시트를 수직으로 추가로 적층하여 동일한 영역에서 성능을 향상시킬 수 있음
7. 동작 전압을 0.75V 미만으로 낮추는 것은 극히 어려우나 GAA은 온-오프 동작이 더 좋으므로 FinFET 대비 동작 전압이 0.70V로 추가 감소 가능
8. 삼성은 기존 FinFET 공정과 호환 될 수 있도록 GAA를 정의했으며 이로 인해 효율적인 비용으로 고객에게 제품을 제공 가능,
9. 실제 2세대 4나노 공정인 4nmLPP와 3nmGAAE는 물리적인 백엔드가 동일
10. 4nmLPP에서 3nmGAE로 전환할 시 프론트엔드만 일부 영향을 받으며 기존 4nmLPP와 높은 호환성을 유지하면서 성능 향상을 제공
11. 자사 7nm FinFET LPP 공정과 비교시 3nmGAAE는 PPA(Performance, Power, Area)기준 성능(클럭) 35% 상승, 소비전력 50% 감소, 면적 45% 감소 가능
12. 고성능의 촛점을 둔 2세대 3nm공정인 3nmGAAP도 존재, 기존 1세대 3nmGAAE 대비 프론트엔드 최적화로 성능 향상 기대
13. 삼성은 3nmGAAE 프로세스가 2020년에 첫 번째 고객 테이프 아웃을 제공 할 것으로 기대하고 있으며, 2020년 말에 리스크가 생산되고 2021년 말에 대량 생산이 이루어질 것으로 예상
(IP보기클릭)211.244.***.***
(IP보기클릭)175.197.***.***
(IP보기클릭)198.208.***.***
왜 계속 프레스핫으로 읽히는 거임? 머리속에서 계속 자동전환 된다. | 19.05.15 16:26 | | |
(IP보기클릭)121.153.***.***
(IP보기클릭)121.170.***.***
(IP보기클릭)221.155.***.***
(IP보기클릭)175.196.***.***
(IP보기클릭)175.223.***.***