[기타] 네이처에 실린 삼성전자 '강유전체' 논문 언박싱 (2)

[시무라오바상]

NCFET 소자 문턱전압 곡선

강유전체 절연막

원본출처 | https://n.news.naver.com/article/011/0004200159

[김수한무]

증착 공정 기술만 받쳐준다면 전력 면에서 많은 진전이 있을 것 같습니다.

[수피론]

Vth 0.1 줄인 건 상당하네요.

[기똥차네]

이것이 삼성의 게이트 올 어라운드(GAA)의 핵심 이론 아님?

[엘노페이]

ㄴㄴ gaa는 채널 구조 말하는거고 저 강유전체 써서 하는거는 구조 상관없이 소재를 활용해서 문턱 전압을 낮추는거임

[기똥차네]

그럼 이건 강유전체를 써서 누설 전류를 막아서 저전압 핀펫구조를 더욱 효율성있게 만든거라고 보면됨?

[엘노페이]

누설 전류를 줄이는게 아니고 본문 기사에도 나와있는 거처럼 강유전체 소자를 저런 식으로 게이트에 결합하는 방식을 통해서 subthreshold swing 값을 낮춰서 문턱 전압을 낮추게 되고, 전압을 낮추게 되면서 각 소자별로 요구되는 소비 전력을 감소시킬 수 있어서 에너지 효율 면에서 이득이 될 수 있는거에요

[기똥차네]

ㅇㅇ 뭔 설명인지 알았다 게이트 on off시의 필요전압이 기존보다 저전압으로 할 수 있게 되서 전체적인 전력소모를 줄일수 있다는 거자나?

[엘노페이]

ㅇㅇ 정확함 그래서 기사에서도 저 그래프를 가져다 쓴 거일거임

[내페가도는아닌데]

강유만 보고 북벌 얘기하러 들어왔는데 이런