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젠5 3나노;; 인텔을 저 멀리 던져버릴 기세네
(IP보기클릭)58.227.***.***
인텔은 아직도 10나노에ㅓ 벌벌 거리는데 벌써 7로 가네
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젠5 3나노;; 인텔을 저 멀리 던져버릴 기세네
(IP보기클릭)118.47.***.***
노? 일.. | 18.05.16 15:28 | | |
(IP보기클릭)103.5.***.***
그런 재미 없는 농담 하지마시죠 부장님 | 18.05.16 15:28 | | |
(IP보기클릭)203.255.***.***
. | 18.05.16 17:05 | | |
(IP보기클릭)58.227.***.***
인텔은 아직도 10나노에ㅓ 벌벌 거리는데 벌써 7로 가네
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(IP보기클릭)221.142.***.***
네 실제로 그렇습니다. 그나마 인텔 방식의... 가끔 진짜 공정이라도 불리는 방식은 그나마 성능 향상이 높은데요.(다른 fab은 일단 올린 뒤에 개선하여 인텔을 따라가는 방식) 그 덕에 더더욱 난도는 높고 성능 향상은 미묘하고... 지금 14nm++가 1세대 인텔 10나노보다 나을거라는 말이 나오는 상태지요 ㅋ | 18.05.16 17:16 | | |
(IP보기클릭)120.142.***.***
제가 궁금한건 하프노드건 풀노드건 일단 7나노 이전의 향상폭보다 7나노 이후에 향상폭이 훨씬 적다 라는 게 사실인가 하는 부분이에요. | 18.05.16 18:24 | | |
(IP보기클릭)122.45.***.***
네 14nm++가 10nm 1세대보다 낫다는 게 그에 대한 답변이어요~ 공정이 작아졌다는 자체만으로는 더 이상 무조건적으로 성능을 바랄 수 없는거죠~ | 18.05.16 19:40 | | |
(IP보기클릭)45.56.***.***
간단정리 같은 14nm여도 인텔이 아범,글파,삼성 혹은 TSMC16나노보다 면적이 작죠 ..~ 그래서 진자배기다 하지만 성능차이가 넘사급은 아니라고 보여짐 -- 그리고 님질문에대한 정확한 답변 미세공정으로 가면갈수록 성능 올리는게 오히려 힘듬... 즉 그래서 14나노>12>10>8>7나노 내려가면서의 성능폭이 45>32>28>22>20>14로 내려가면서의 차이보다 크지 않은것 32에서 28나노로 갔을때의 차이와 특히 28>14나노만보면 엄청난 차이를 보여주지요 | 18.05.16 19:45 | | |
(IP보기클릭)120.142.***.***
그런 마케팅용 숫자 장난질 말고 풀노드(전세대 대비 집적도 2배= 노드 길이 70% 감소)나 하프노드로 공정이전시 얻는 이득이 7나노 이후로는 거의 없을 것이다 라는 것을 보았고 그에 대한 궁금증과 사실여부를 확인 하고자 하는게 제 질문의 목적이었는데 아무래도 질문을 너무 간단하게 한것 같네요. | 18.05.16 23:40 | | |
(IP보기클릭)120.142.***.***
일단 답변 감사드리고 미세화 될수록 왜 성능향상폭이 줄어드냐 그 이유가 궁금해서 개인적으로 찾아봤습니다. 풀노드가 이루어지면(동일면적 집적도 2배) 소비전력은 동일 클럭에서 35%감소(=클럭 40%상승)가 이루어지는데 이런 이론적인 성능향상폭은 130nm이후로는 힘들어져서 그렇다네요. 누설전류가 증가하기 때문이라고 합니다. 그래서 7나노 이후로는 이전에 드는 비용과 난이도는 더 괴랄해지는데 공정이전으로 얻는 이득은 줄기 때문에 7나노는 생각보다 더 오래 보게 될지도 모르겠네요. 애초에 질문을 좀 상세하게 했어야 했는데ㅋㅋ | 18.05.16 23:54 | | |
(IP보기클릭)125.190.***.***
이것도 적었어야하는데 그래서 그레핀 연구에 엄청나게 많은 공을 드리고있지요... | 18.05.17 00:12 | | |
(IP보기클릭)117.111.***.***
음... 답이 좀 늦긴 했는데(...) 14nm++는 인텔의 14nm 개선판(핀-피치 높이 조절) 이지 하프노드였던 14nm가 ++에서 개선했다...는 개념이 아닙니다. 근원적 이유 자체는 말씀하신 게 맞고... 그게 실전적으로 인텔 14나노의 극히 소소한 개선판에 불과한(약 7% 정도 향상이라고 보면 될듯 14nm++가 풀노드일 예정인 인텔의 10nm보다 높을 정도로 이제 공정만으론 뭐가 되지 않는다...는 사례라고 보시면 될듯 ㅋ | 18.05.17 19:57 | | |
(IP보기클릭)49.1.***.***
https://www.anandtech.com/show/10610/intel-announces-7th-gen-kaby-lake-14nm-plus-six-notebook-skus-desktop-coming-in-january 14나노와 14나노 플러스에 대한 정보 참조하셔요! | 18.05.17 20:04 | | |
(IP보기클릭)110.70.***.***
간단하게 써주셨는데 문제는 바로 다크 실리콘입니다. 130나노 이하로 내려가면서부터 미세공정으로 전환시에 전압이 줄어드는 수준이 감소하여, 1코어에 트랜지스터를 더 때려넣어서 성능을 올리는 방식으로는 발열제어를 못하게 되고 바로 그게 프레스캇의 문제였습니다. | 18.05.17 22:31 | | |
(IP보기클릭)110.70.***.***
그래서 하이케이메탈이나 핀펫 등을 이용해서 회로폭을 더욱 얇게 하는 기술을 마련하였고, 클럭을 떨어트리고 멀티코어화를 하는 방법으로 회피하여 성능을 올렸는데 그것도 5나노 아래에서는 별 소용이 없는거죠. | 18.05.17 22:34 | | |
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