삼성 파운드리 포럼에서
공정 로드맵이 업데이트 되었습니다.
●7LPP (7nm Low Power Plus) : EUL 리소그래피 솔루션을 사용하는
최초의 반도체 공정 기술인 7LPP는 올해 하반기에 생산을 시작할 예정으로.
핵심 IP는 2019년 상반기에 완공을 목표로 개발 중
● 5LPE (5nm Low Power Early) : 혁신을 통해 5LPE는 7LPP 공정보다
면적 감소 및 초 저전력 이점을 제공.
● 4LPE / LPP (4nm Low Power Early / Plus) : 고도로 성숙되고 검증 된
FinFET 기술의 사용은 4nm 공정으로 확대 될 것. FinFET의 마지막 세대인
4nm는 검증 된 5LPE를 채택하여 셀 크기를 줄이고 성능을 향상 시키며
안정적인 수율로 램프 업을 수행하므로 마이그레이션이 용이
● 3GAAE / GAAP (3nm Gate All-Around Early / Plus) : 3nm 프로세스 노드는
차세대 장치 아키텍처 인 GAA를 채택. FinFET 아키텍처의 물리적 인 스케일링 및
성능 제한을 극복하기 위해 삼성은 나노 시트 디바이스를 사용하는 고유의
GAA 기술인 MBCFET TM (Multi-Bridge-Channel FET)을 개발하고 있으며.
게이트 제어를 강화함으로써 3nm 노드의 성능이 크게 개선 될 예정.
작년 발표된 로드맵에 있던
6nmLPP와 5nmLPP가 사라지고
7nmLPP 이후 로드맵으로 5nmLPE가 추가되었고
당초 예정되었던 4nmLPP 공정에 GAA 도입이 3nm로 바뀌었고
4nm 노드는 FinFET방식으로 4nmLPE/LPP가 추가되었습니다.
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아뇨 어디까지나 시험양산이고 갤10에는 8nmLPP 달릴겁니다
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스냅은 855한정으로 TSMC 7nm로 생산되고 그 하위라인인 스냅700 시리즈, 600 시리즈등등은 8nm, 10nm, 14nm로 생산중.. 그리고 내년에 삼성 7nmLPP 공정 사용한 퀄콤 5G 모뎀 나올 예정
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그리고 10nm과 7nm 징검다리인 8nm에 대해선 언급이 없군요 | 18.05.23 18:16 | | |
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아뇨 어디까지나 시험양산이고 갤10에는 8nmLPP 달릴겁니다 | 18.05.23 18:18 | | |
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스냅은 855한정으로 TSMC 7nm로 생산되고 그 하위라인인 스냅700 시리즈, 600 시리즈등등은 8nm, 10nm, 14nm로 생산중.. 그리고 내년에 삼성 7nmLPP 공정 사용한 퀄콤 5G 모뎀 나올 예정 | 18.05.23 19:23 | | |
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그건 사실이죠 주로 그 말 나오던건 40나노가 아니라 5나노 정도였고 이게 원자 20개 두께정도 그리고 저 한계 이야기는 주로 반도체로 쓰이는 소재들의 특성이 그랬기 때문이고 그것보다 상한치가 더 낮은 소재나 코팅을 적용한거죠 물리적 불가능을 극복한게 아니라 사람들이 착각하는게 '5나노 정도 부턴 양자터널링이 심해지니까'라고 하는걸 5나노 부턴 양자터널이 생겨서 불가능 하대더라 라고 잘못 이해 하더군요 양자터널은 5나노 이상에서도 계속 해서 생기는 현상입니다. 물론 전자기기 에서만 발생하는 현상도 아니고 모든것에서 다 발생해요 인간도 쿼크와 전자의 집합체이기 때문에 양자터널외의 양자현상들이 다 일어나는게 가능은 합니다 단지 규모가 커질수록 확률이 기하급수적으로 작아지기 때문에 드물어져서 배제하고 생각하는거지 5나노 미터가 양자터널이 생기고 안생기고의 분수령이 아닙니다. 그냥 그 소재가 그쯤부터 그게 일어날 확률이 극히 커진거고 우회로를 찾은거죠 | 18.05.23 21:11 | | |
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터널링현상을 이야기 한건지는 모르겠는데 40나노 때부터 벽이 너무 얇아서 전자를 가두어도 벽을 뚫고 지나가 버리기 때문에 더는 미세화 하기 힘들거란 이야기가 계속 나왔습니다. 그 후로도 계속 들어 왔고요. 오히려 양자역학 연구가 많이 진행된 요즘 들어서 그런 이야기를 못들었네요. | 18.05.23 21:19 | | |
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그게 양자터널링이에요 | 18.05.23 21:55 | | |
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터널링은 연구 많이 진행된다고 사라지는게 아닙니다 에러정정기술과 설계 등 공학적으로 극복하는거죠 | 18.05.25 02:01 | | |